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Nature子刊速览:华科北大吴燕庆、清华王训

  本文中,来自华中科技大学的吴燕庆团队将透明导电氧化铟锡(ITO)做到超薄尺寸(薄至4 nm),然后基于ITO超薄层,0.8 nm 介电当量厚度的镧掺杂氧化铪,构建了短沟道晶体管,其性能与当今的金属氧化物以及二维材料构建的器件性能相当。该40 nm晶体管具有很好的短沟道免疫性。逻辑逆变器在低阈值范围,0. 5V的电压下实现178的高增益系数。截止频率以及最大振荡频率均大于10 GHz的射频晶体管也成功构建。该文表明,ITO在5 nm以下的低功率电子器件中有着独特特性。

  纳米材料在亚纳米层次的组装控制十分具有挑战性。根据LeMer模型,在纳米材料早期的生长过程中,一般认为有两个步骤:成核阶段以及生长阶段。控制最终纳米材料的形貌与尺寸一般被认为取决于生长阶段,晶核与周围单体之间的相互作用。该工作中,作者实验表明,具有确切结构的团簇,如多金属氧化物,可以与晶核共组装形成均一的二元组装体,从而干扰镍氧硫化物以及镍钴金属羟基化合物的成核阶段。该过程也可以继续嵌入第三种,或第四种纳米团簇从而形成三元或四元组装体。其中二元以及四元组装体显示具有有效的室温汽油脱硫以及立体选择性反应的催化性能。

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